Grafeno ant Sc2O3 fotolitografija
Detali informacija
Ištrauka
Grafeno ant Sc2O3 fotolitografija
BAKALAURO STUDIJŲ BAIGIAMASIS DARBAS
Fizikos studijų programa
Turinys
Įvadas 3
1 Literatūros apžvalga 4
2 Tyrimo metodika 5
3 Dielektrinio Sc2O3 sluoksnio ant Si charakterizavimas 8
4 Grafeno perkėlimas ant Sc2O3 pagrindo 11
4.1. Mechaninis perkėlimas 11
4.2. Kaitinimas vakuume 11
5 Lazerinė grafeno fotolitografija taikant pozityvinį ir negatyvinį fotorezistą 12
5.1. Pozityvinis fotorezistas 12
5.2. Negatyvinis fotorezistas 13
6 Grafeno ėsdinimo O2 plazmoje procesas 15
7 Metalinių kontaktų formavimas ant grafeno 17
7.1. Garinimo kinetika 17
7.2. Metalinių Ni/Au kontaktų formavimas taikant pozityvinį fotorezistą 17
7.3. Metalinių Ni/Au kontaktų formavimas taikant negatyvinį fotorezistą 18
8 Grafeno elektrinių savybių matavimas 19
Pagrindiniai rezultatai ir išvados 24
Literatūra 25
Įvadas
Šis tyrimas buvo projekto, vykdomo NFTMC Vilniaus Universiteto Fotonikos ir
Nanotechnologijų Institute (VUFNI), dalis. Tyrimų grupė, kuriai priklausau institute – nitridų
technologijos grupė. Institute yra vykdoma III grupės nitridų heteroepitaksija ant safyro, silicio karbido,
retųjų žemės elementų oksidų bei homoepitaksija ant tūrinių GaN pagrindų. Projekto tikslas – gauti
metalo-dielektriko-puslaidininkio sandūrą (angl. CMOS) pakeičiant metalą grafenu dėl jo pasižymėjimo
daug geresnėmis krūvininkų pernašos savybėmis nei įprasti konvenciniai metalai. Šiame tyrime buvo
bandomi metodai, kurių pagalba būtų galima efektyviai bei kokybiškai suformuoti grafeno
mikrostruktūras ant silicio puslaidininkio su didelę dielektrinę skvarbą turinčio skandžio oksido
pasluoksniu. Pirmas projekto etapas, ties kuriuo buvo koncentruotas mano bakalaurinis darbas šiame
institute, buvo atlikti lazerinę fotolitografiją ir suformuoti grafeno kontaktų mikrostruktūras, su
kuriomis galėtume atlikti Holo efekto matavimus ir nustatyti kaip pasikeičia šios 2D medžiagos
elektrinės savybės atlikus fotolitografijos apdirbimo procesą. Grafeno mikrostruktūrų formavimas ant
retųjų žemių metalų oksidų ir elektrinių savybių tyrimai reikalingi norint monolitiškai integruoti galio
nitrido technologiją į silicio technologiją ir toliau vystyti galio nitrido epitaksiją.
Mūsų mokslo darbų bazėje yra daugybė įvairių mokslo darbų, todėl tikrai atrasi sau tinkamą!
Svetainė naudinga. Visada galima rasti medžiagos ir pritaikyti rašant darbus.
Platus pasirinkimas, didelė pagalba mokantiems ir besimokantiems, leidžia sutaupyti laiką ir pasisemti naujų idėjų. Ačiū
Labai gera svetainė,kai nėra idėjų referatui ši svetainė labai padeda.
Gali rasti naudingos medžiagos. Reikalui esant ją persitvarkyti pagal save. Ačiū
Ačiū, kad esat.Didelis pasirinkimas. Mielai naudojuosi. Labai susitaupo laikas.
Puiki svetainė, gerai, kad yra iš kur pasisemti pavyzdžių, kai galva jau nebeveikia :)